A Micron Technology e a Intel anunciaram os testes das primeiras memórias baseadas na tecnologia NAND flash, construídas com o processo tecnológico de 50 nanômetros (nm). As amostras foram fabricadas pela IM Flash Technologies, um empreendimento conjunto da Micron e da Intel para desenvolvimento e fabricação. As companhias estão testando dispositivos de 4 gigabits (Gb), com planos para produção em massa de inúmeras densidades de 50nm em 2007.
A mudança para o processo tecnológico de 50nm, segundo as duas fabricantes, permitirá que supram a crescente demanda por maiores densidades nos dispositivos NAND flash e uma ampla gama de aplicações eletrônicas de consumo e de computação, tais como tocadores de música, armazenamento portátil e dispositivos de comunicação (PDAs). De acordo com analistas da indústria, o segmento de mercado NAND deverá movimentar entre US$ 13 bilhões e US$ 16 bilhões neste ano e crescer até aproximadamente US$ 25 bilhões à US$ 30 bilhões em 2010.
?A Micron entrou no negócio NAND em 2004, utilizando o processo de 90nm. Em poucos anos e graças a nossa colaboração com a Intel, estamos preparados para lançar um produto baseado em um processo tecnológico inovador?, declarou Brian Shirley, vice-presidente de memórias da empresa.
?Nossa entrada no negócio de NAND flash veio acompanhada de um salto de produção incrivelmente rápido?, disse Brian Harrison, vice-presidente e gerente geral do Flash Memory Group da Intel. ?Começamos a oferecer produtos aos clientes no primeiro trimestre deste ano e estamos testemunhando uma demanda muito alta para múltiplas densidades flash. Graças ao trabalho com a Micron, estamos prontos para uma rápida transição para o processo tecnológico de 50nm e além.?
A Micron e a Intel formaram a IM Flash Technologies (IMFT) em janeiro para fabricar produtos de memória NAND flash para as duas companhias. A Micron atualmente fornece dispositivos NAND flash de sua fábrica em Boise, e a fábrica de 300mm localizada em Manassas deve entrar em operação ainda neste ano para fornecer NAND à IMFT. Ao mesmo tempo as fabricas de Lehi e Utah, dedicadas à IMFT e que servem como bases, deverão operar e produzir dispositivos NAND no começo do próximo ano.
