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Toshiba cortará produção de memória flash NAND

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A Toshiba anunciou nesta terça-feita, 16, que realizará um ajuste na produção de memória flash NAND da sua planta industrial de Yokkaichi, no Japão, a qual terá uma redução de cerca de 30% na fabricação a partir de janeiro de 2009.
Segundo a fabricante, a recessão na economia global e a desaceleração do consumo terá um impacto significativo na demanda por semicondutores. "O que é particularmente possível de se verificar no mercado de memórias flash NAND, cuja procura por aplicações como cartões de memória e tocadores de MP3 caíram expressivamente, gerando excesso de estoque. Desse modo, a Toshiba considerou essa situação e decidiu reduzir a produção em Yokkaichi", disse a companhia em comunicado.
A fábrica de Yokkaichi tem quatro linhas de montagem. A fábrica 3 e 4 produzem memórias flash NAND de 300 milímetros (mm), enquanto as fábricas 1 e 2 fazem pastilhas de silício de 200 milímetros.
Ainda segundo a empresa, antes de proceder o ajuste da produção, a linha de memória flash NAND de 300 terá suas operações suspensas por 13 dias e a linha de 200 milímetros, por quatro dias, durante as festas de fim de ano.

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