A Intel e a Micron Technology anunciaram o desenvolvimento de uma nova geração de chips de memória que, segundo as fabricantes, vai trazer ganhos significativos de desempenho a computadores, smartphones e outros tipos de dispositivos de alta tecnologia. Elas afirmam que os chips, previstos para chegar ao mercado no próximo ano, são até mil vezes mais rápidos que os chips de memória flash NAND usados atualmente na maioria dos dispositivos móveis, ao armazenar dez vezes mais dados do que a memória de acesso aleatório dinâmico, ou DRAM, dos chips usados em produtos eletrônicos.
O novo chip utiliza tecnologia chamada 3D Xpoint que, embora não seja totalmente igual em velocidade a um processador DRAM, é capaz de reter dados mesmo depois de o processador ser desligado, diferentmente do que ocorre com os novos chips de memória flash NAND, afirmam as empresas.
Executivos da Intel e Micron preveem que a velocidade dos novos chips irá estimular novos tipos de aplicações e beneficiar especialmente aquelas que dependem de processadores ultrarrapidos para tarefas complexas, tais como tratar grandes volumes de dados, reconhecimento de voz, deteção de fraude e decifrar códigos genéticos. "É verdadeiramente revolucionário", disse Mark Durcan, presidente-executivo da Micron, em um evento na terça-feira, 28, segudo o The Wall Street Journal.
Mas a importância — e a originalidade — da tecnologia é discutível, segundo especialistas. Muitas outras empresas alegam ter alcançado avanços significativos em chips de memória nos últimos anos. O vice-presidente de marketing estratégico e desenvolvimento de negócios da startup Crossbar, Sylvain Dubois, diz que a Intel e a Micron parecem estar reproduzindo elementos de suas tecnologias resistivas RAM. "Soa muito parecido com o que temos." Outros, no entanto, acreditam que o chip das empresas tem uma vantagem inicial na entrega de velocidade em chips DRAM que proveem persistência no armazenamento de dados.
A Intel tem colaborado com a Micron no desenvolvimento da tecnologia NAND desde 2006. Há cerca de duas semanas, no entanto, a fabricante de chips de memória americana recebeu uma oferta de US$ 23 bilhões da fabricante de chips Tsinghua UniGroup, empresa controlada pela estatal chinesa Tsinghua Holdings. A Micron não comenta sobre a oferta.
Além dos atrativos financeiros do mercado de chip de memória, que a IDC avalia em US$ 78,5 bilhões neste ano, os fabricantes têm procurado avanços por causa dos obstáculos técnicos para reduzir o tamanho dos circuitos de chips, que é a maneira usual de aumentar a capacidade de armazenamento. Os fabricantes de chips NAND, como Intel e Micron, disseram recentemente que iriam deixar de perseguir essa técnica e buscar empilhar camadas de circuitos em três dimensões.
A Intel e a Micron, no entanto, não revelam detalhes da tecnologia 3D Xpoint, tais como os materiais que estão usando. Elas apenas descreveram o que afirmam ser uma maneira original para armazenar dados, usando colunas verticais de circuitos interligados por uma rede de fios cruzados microscópicos. Entre outras coisas, isso permite que as células que armazenam dados sejam geridas individualmente. "Isso é algo que muitas pessoas pensavam ser impossível", disse Rob Crooke, vice-presidente sênior da Intel.
As empresas planejam inicialmente produzir chips de duas camadas que armazenam 128 gigabits de dados, combinando alguns chips NAND existentes. O aumento das capacidades será feito posteriormente pelo empilhamento de mais circuitos.
Os analistas que participaram do evento na terça-feira avaliam que levará tempo para projetistas de hardware decidirem como ou se vão usar a tecnologia. Um obstáculo potencial para a sua disseminação é o fato de que a Intel e a Micron pretendem manter o controle exclusivo sobre a tecnologia, já que os fabricantes de produtos que utilizam chip preferem tecnologia proveniente de vários fornecedores, para reduzi riscos de enfrentarem problemas técnicos ou de fabricação.
